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6N136集成光子探测器:发光二极管、光电二极管和一个集电极开路输出晶体管组成

6N136摘要:兼容TTL输入高速开关,1Mbit / s的典型值带宽:2MHz的典型值高共模瞬变:1000 V/ms典型的
高压电器绝缘:最小3000VDC集电极开路输出UL认证:档案编号65085

二极管的晶体管的光电耦合器使用一个LED和一个集成的光电检测器,以提供输入和输出之间的电绝缘之间的绝缘层。为光电二极管偏压和输出晶体管的集电极单独的连接通过减小基极 - 集电极电容将速度提高到一百倍,一个常规的光电晶体管耦合器。

注意:这是正常的静表示,将采取措施处理和组件汇编防止损坏和/或降解可能由ESD引起。

通过绝缘距离,导体导体,通常是光发射器和光电探测器的光电耦合器腔体内部之间的直接距离。

这些高速光电耦合器是专为那些需要输入和输出之间的高压隔离模拟或数字接口的应用。应用包括需要高共模瞬变抗扰度线路接收器,并要求输入到输出的电气隔离模拟或逻辑电路。

6N1356N136HCPL4502光耦合器各由一个发光二极管和一个光电二极管和一个集电极开路输出晶体管组成的集成光子探测器。被提供给光电二极管的偏置和晶体管集电极输出的单独的连接。这个特性,从而降低了晶体管基极 - 集电极电容,导致速度达到百次,一个常规的光电晶体管光耦合器。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘,允许一个480 V的工作电压则为220 V行业标准

以下是注册和未注册商标飞兆半导体拥有或授权使用的,并且不打算成为所有这些商标的详尽清单。

瞬时共模抑制电压“输出(0)”表示的共模电压的变化,可以容纳上述(0)电平(V <0.8v)的输出。<>

HCPL-4502/HCPL-2503,6N135 / 6和HCPL-2530/HCPL-2531光耦合器组成的AlGaAs LED的光耦合到一个高速光检测器晶体管。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘,允许一个480 V的工作电压相比0F 220五,行业标准

在逻辑高电平共模瞬态抗扰度是最大耐受(正)的dV厘米/ dt对共模脉冲信号V CM,以确保输出将保持在一个逻辑高状态(即,V 2.0%的领先优势V)。在逻辑低电平共模瞬态抗扰度是最大耐受(负)的dV厘米/ dt对共模脉冲信号,V CM的后缘,以确保输出将保持在一个逻辑低状态(即,V& 0.8 V)。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘,允许一个480 V的工作电压则为220 V行业标准

以下是注册和未注册商标飞兆半导体拥有或授权使用的,并且不打算成为所有这些商标的详尽清单。

6N135和6N136是光电耦合器与红外发光二极管的GaAIAs,光学耦合与集成光检测器,它包括一个光电二极管和一个DIP-8的塑料封装的高速晶体管。

信号可以在两个电分离电路到2.0兆赫的频率之间进行传输。要被连接的电路之间的电势差不超过允许的最大参考电压。

设备的功能操作是不是在超过那些在本文件中的业务部门给予的这些或任何其他条件。暴露在的长时间绝对最大额定值可靠性产生不利影响。

注AMB = 25°C,除非另有规定。最低和最高值的检测要求。典型值是设备的特点及工程评价的结果。典型值仅供参考,并不测试要求的一部分。

它特别关注的控制或消除这些物质的排放被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质)的气氛。

蒙特利尔议定书(1987)及其伦敦修正案(1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质,并在未来十年内禁止其使用??。各种国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。

参数可以改变不同的应用。所有操作参数都必须为每个客户应用的客户进行验证。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体一切索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或间接与相关联的个人损害,伤害或死亡索赔意外或未经授权的使用。

使用或销售这些产品在此类应用中使用的客户这样做在自己的风险,并同意完全赔偿VISHAY的这些不当使用或销售造成的损失。

6N135和6N136是光电耦合器与红外发光二极管的GaAIAs,光学耦合与集成光检测器,它包括一个光电二极管和一个DIP-8的塑料封装的高速晶体管。

信号可以在两个电分离电路到2.0兆赫的频率之间进行传输。要被连接的电路之间的电势差不超过允许的最大参考电压。

设备的功能操作是不是在超过那些在本文件中的业务部门给予的这些或任何其他条件。暴露在的长时间绝对最大额定值可靠性产生不利影响。

注AMB = 25°C,除非另有规定。最低和最高值的检测要求。典型值是设备的特点及工程评价的结果。典型值仅供参考,并不测试要求的一部分。

它特别关注的控制或消除这些物质的排放被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质)的气氛。

蒙特利尔议定书(1987)及其伦敦修正案(1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质,并在未来十年内禁止其使用??。各种国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。

参数可以改变不同的应用。所有操作参数都必须为每个客户应用的客户进行验证。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体一切索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或间接与相关联的个人损害,伤害或死亡索赔意外或未经授权的使用。

使用或销售这些产品在此类应用中使用的客户这样做在自己的风险,并同意完全赔偿Vishay的这些不当使用或销售造成的损失。

HCPL-4502/HCPL-2503,6N135 / 6和HCPL-2530/HCPL-2531光耦合器组成的AlGaAs LED的光耦合到一个高速光检测器晶体管。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘,允许一个480 V的工作电压则为220 V行业标准

以下是注册和未注册商标飞兆半导体拥有或授权使用的,并且不打算成为所有这些商标的详尽清单。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘,允许一个480 V的工作电压则为220 V行业标准

以下是注册和未注册商标飞兆半导体拥有或授权使用的,并且不打算成为所有这些商标的详尽清单。

6N135,6N136,EL4502和EL4503每个器件包括一个红外发光二极管,光耦合到一个高速光检测器晶体管。为光电二极管偏压和输出晶体管的集电极一个单独的连接增加的速度超过常规光敏晶体管耦合几个数量级通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容。

<0.8v)的输出。<>