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FHTA92 参数 Datasheet PDF下载

FHTA92图片预览
型号: FHTA92
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内容描述: [高压三极管]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管高压
文件页数/大小: 3 页 / 68 K
品牌: A-DATA [ A-DATA TECHNOLOGY ]
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广东肇庆风华新谷微电子有限公司
广东省肇庆市风华路
18
号风华电子工业城三号楼一楼
TEL:0758-2865088 2865091
FAX:0758-2849749
High Voltage Transistors
高压三极管
PNP Silicon (FHTA92)
MAXIMUM RATINGS
最大额定值
Characteristic
特性参数
Symbol
符号
Collector-Emitter Voltage
集电极-发射极电压
V
CEO
Collector-Base Voltage
集电极-基极电压
V
CBO
Emitter-Base Voltage
发射极-基极电压
V
EBO
Collector Current—Continuous
集电极电流-连续
Ic
Rating
额定值
-300
-300
-5.0
-500
Max
最大值
225
1.8
556
300
Unit
单�½�
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Unit
单�½�
mW
mW/℃
℃/W
mW
THERMAL CHARACTERISTICS
热特性
Characteristic
特性
Symbol
符号
Total Device Dissipation
总耗散功率
FR-5 Board(1)
P
D
T
A
=25℃
环境温度
25℃
Derate above 25℃
超过
25℃递减
Thermal Resistance Junction to Ambient
热阻
R
Θ
JA
Total Device Dissipation
总耗散功率
P
D
Alumina Substrate
氧化铝衬底,(2)
T
A
=25℃
Derate above 25℃超过 25℃递减
Thermal Resistance Junction to Ambient
热阻
R
Θ
JA
Junction and Storage Temperature
结温和储存温度
T
J
,T
stg
2.4
mW/℃
417
℃/W
150℃,-55 to +150℃
DEVICE MARKING
打标
FHTA92=2D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
电特性
(T
A
=25
unless otherwise noted
如无特殊说明,温度为
25
)
Characteristic
特性
Symbol
符号
Min
最小值
Max
最大值
Unit
单�½�
Vdc
-300
-300
-5.0
Vdc
Vdc
μAdc
-0.1
μAdc
-0.25
OFF CHARACTERISTICS
截止电特性
Collector-Emitter Breakdown Voltage (3)
V
(BR)CEO
集电极-发射极击穿电压(Ic=-1.0
mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
集电极-基极击穿电压(Ic=-100μAdc,
I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
发射极-基极击穿电压(I
E
=-100
μAdc,
I
C
=0)
Emitte Cutoff Current
I
EBO
发射极截止电流(V
EB
=-3.0Vdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
I
CBO
集电极截止电流(V
CB
=-200Vdc, I
E
=0)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062 in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024 in. 99.5% alumina.
3. Pulse Width≤300μs; Duty Cycle≤2.0%.
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4
*2005
年第
2
版*
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