广东肇庆风华新谷微电子有限公司
广东省肇庆市风华路
18
号风华电子工业城三号楼一楼
电话： 0758-2865088 2865091
传真： 0758-2849749
高电压晶体管
高压三极管
PNP硅（ FHTA92 ）
最大额定值
最大额定值
特征
特性参数
符号
符号
集电极 - 发射极电压
集电极-发射极电压
V
首席执行官
集电极 - 基极电压
集电极-基极电压
V
CBO
发射极 - 基极电压
发射极-基极电压
V
EBO
集电极电流连续
集电极电流-连续
Ic
等级
额定值
-300
-300
-5.0
-500
最大
最大值
225
1.8
556
300
单位
单�½�
VDC
VDC
VDC
MADC
单位
单�½�
mW
毫瓦/ °
℃/W
mW
热特性
热特性
特征
特性
符号
符号
器件总功耗
总耗散功率
FR- 5板（1）
P
D
T
A
=25℃
环境温度
25℃
减免上述25 °
超过
25℃递减
热阻结到环境
热阻
R
Θ
JA
器件总功耗
总耗散功率
P
D
氧化铝基板
氧化铝衬底,(2)
T
A
=25℃
减免上述25 ℃超过25 ℃递减
热阻结到环境
热阻
R
Θ
JA
结温和存储温度
结温和储存温度
T
J
,T
英镑
2.4
毫瓦/ °
417
℃/W
150 ℃ ， -55〜 + 150 ℃
器件标识
打标
FHTA92=2D
电气特性
电特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明
如无特殊说明，温度为
25
℃
)
特征
特性
符号
符号
民
最小值
最大
最大值
单位
单�½�
VDC
-300
-300
-5.0
—
—
—
VDC
—
VDC
—
μAdc
-0.1
μAdc
-0.25
开关特性
截止电特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
V
（ BR ） CEO
集电极-发射极击穿电压(Ic=-1.0
MADC ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
集电极-基极击穿电压(Ic=-100μAdc,
I
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
发射极-基极击穿电压(I
E
=-100
μAdc ，
I
C
=0)
Emitte Cuto FF电流
I
EBO
发射极截止电流(V
EB
= -3.0Vdc ，我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
集电极截止电流(V
CB
= -200Vdc ，我
E
=0)
1， FR - 5 = 1.0 × 0.75 × 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 × 0.3 × 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲Width≤300μs ;值班Cycle≤2.0 ％ 。
分页： 0
4
*2005
年第
2
版*
版权所有
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