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    AP01L60AT_10 参数 Datasheet PDF下载

    AP01L60AT_10图片预览
    型号： AP01L60AT_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 先进的功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和costeffectiveness成效 [Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and costeffectiveness effectiveness]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 111 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP01L60AT_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP01L60AT_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP01L60AT_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP01L60AT_10的Datasheet PDF文件第5页  
    AP01L60AT
    1.5
    1
    T
    A
    =25 C
    I
    D
    , Drain Current (A)
    o
    10V
    6.0V
    5.5V
    5.0V
    I
    D
    , Drain Current (A)
    T
    A
    =150
    o
    C
    0.75
    10V
    5.0V
    1
    4.5V
    0.5
    0.5
    V
    GS
    =4.5V
    V
    GS
    =4.0V
    0.25
    0
    0
    12
    24
    36
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    V
    DS
    , Drain-to-Source Voltage (V)
    V
    DS
    , Drain-to-Source Voltage (V)
    Fig 1. Typical Output Characteristics
    Fig 2. Typical Output Characteristics
    1.2
    2.8
    2.4
    I
    D
    =0.5A
    V
    GS
    =10V
    1.1
    Normalized BV
    DSS
    (V)
    2
    Normalized R
    DS(ON)
    1.6
    1
    1.2
    0.8
    0.9
    0.4
    0.8
    -50
    0
    50
    100
    150
    0
    -50
    0
    50
    100
    150
    T
    j
    , Junction Temperature ( C)
    o
    T
    j
    , Junction Temperature ( C )
    o
    Fig 3. Normalized BV
    DSS
    v.s. Junction
    Temperature
    10
    4
    Fig 4. Normalized On-Resistance
    v.s. Junction Temperature
    1
    3
    T
    j
    = 150 C
    0.1
    o
    o
    T
    j
    = 25 C
    V
    GS(th)
    (V)
    2
    1
    -50
    I
    S
    (A)
    0.01
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    0
    50
    100
    150
    V
    SD
    , Source-to-Drain Voltage (V)
    T
    j
    , Junction Temperature ( C )
    o
    Fig 5. Forward Characteristic of
    Reverse Diode
    Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
    Junction Temperature
    3/4

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