AP0103GP-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP0103GP-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 119 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP0103GP-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

导通电阻的降低

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

VDSS

=125

40V

2.99mΩ

220A

DS （ ON）

描述

AP0103系列从高级电源创新的设计和

硅制程技术，以实现尽可能低的导通

电阻和快速开关的性能。它提供设计师

以在宽范围功率的极端有效的装置，用于使用

应用程序。

在TO- 220封装，广泛首选的所有commercial-

工业通孔应用。的低热阻和

低封装成本推动世界范围内流行的包。

TO-220(P)

绝对最大额定值

符号

=125 C

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（片）

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

+20

220

320

250

-55到150

单位

℃

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

0.5

单位

℃/W

201304121

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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