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AP01L60J 参数 Datasheet PDF下载

AP01L60J图片预览
型号: AP01L60J
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP01L60H/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
额定重复性雪崩
开关速度快
简单的驱动要求
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
600V
12Ω
1A
描述
在TO- 252封装普遍首选的所有商业工业
表面贴装应用,并适用于AC / DC转换器。该
通孔版( AP01L60J )可用于小尺寸应用。
G
D
S
TO-252(H)
G
ð S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
等级
600
±30
1
0.8
3
29
0.232
0.5
1
0.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.3
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
200629052-1/4