AP01L60T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP01L60T
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 71 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP01L60T

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

12Ω

160mA

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

在TO- 92封装普遍适用于所有商业工业

应用程序。

TO-92

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

600

160

100

300

0.83

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

150

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200530031

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案