AP01N40J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP01N40J
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 72 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP01N40J

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅极电荷

▼

100 ％额定雪崩

▼

快速开关性能

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

400V

16Ω

0.5A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供设计师

该

快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通

性和成本效益。

在TO- 251封装

广泛

首选商业，工业

通孔的应用。

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

400

±20

0.5

0.4

17.4

0.14

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

0.5

-55到150

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大

热阻，结案件

最大

热阻，结到环境

价值

7.2

110

单位

℃/W

201018072-1/4

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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