AP02N60J_08 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP02N60J_08
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 107 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP02N60H/J

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

100％的雪崩测试

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

8Ω

1.6A

描述

在TO- 252封装，广泛首选的所有商业，工业

表面贴装应用，并适用于AC / DC转换器。该

通孔版（ AP02N60J ）可用于小尺寸

应用程序。

ð S

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

600

+30

1.6

0.31

1.6

0.5

-55到150

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）

价值

3.2

62.5

110

单位

℃/W

最大热阻，结到环境

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200807222

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