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AP02N60H 参数 Datasheet PDF下载

AP02N60H图片预览
型号: AP02N60H
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 63 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N60H/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
额定重复性雪崩
快速开关
简单的驱动要求
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
600V
1.6A
描述
克ð
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用,并适用于AC / DC转换器。
通孔版( AP02N60J )可用于低轮廓
应用程序。
G
ð S
S
TO-252(H)
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
600
±30
1.6
1
6
39
0.31
64
1.6
0.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.2
110
单位
℃/W
℃/W
200705051-1/4
数据&规格如有变更,恕不另行通知