AP02N60T-H-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP02N60T-H-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 137 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP02N60T-H-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

700V

9Ω

0.3A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

在TO-92封装被广泛地用于商业工业应用。

TO-92

顶视图

绝对最大额定值

符号

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

700

+30

0.3

1.2

单位

℃

总功耗

单脉冲雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

热数据

符号

Rthj -A

Rthj -L

参数

最大热阻，结到环境

最大热阻，结铅

价值

150

单位

℃/W

200911041

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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