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AP02N70EI-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP02N70EI-HF图片预览
型号: AP02N70EI-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 56 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N70EI-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
ESD能力的改进
简单的驱动要求
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
700V
1.6A
S
描述
AP02N70亚太经合组织为设计者提供了最好的
快速切换的组合,低导通电阻和成本
有效性。
在TO- 220CFM隔离封装,广泛用于优先
商业,工业通孔应用。
G
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
700
+20
1.6
1
6.4
27.8
13
1.6
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
A
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
4.5
65
单位
℃/W
℃/W
1
201301041
数据&规格如有变更,恕不另行通知