AP02N90J-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP02N90J-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 68 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP02N90H/J-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

900V

7.2Ω

1.9A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 252封装，广泛首选的所有商业，工业

应用在功率耗散水平到约50瓦。

通孔版（ AP02N90J ）可用于低轮廓

应用程序。

克ð

TO-252(H)

ð S

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

总功耗

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

等级

900

+30

1.9

1.2

62.5

0.5

1.9

-55到150

单位

W/℃

℃

单脉冲雪崩能量

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）

价值

62.5

110

单位

℃/W

201008115

最大热阻，结到环境

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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