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AP02N90P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP02N90P
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N90P
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关特性
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
S
900V
7.2Ω
1.9A
D
TO-220
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用。该装置适合用于DC-DC , AC-DC
转换器的电源应用。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
900
±30
1.9
1.2
6
62.5
0.5
18
1.9
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.0
62
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
200418062-1/4