AP04N60R-A-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP04N60R-A-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP04N60R-A-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

650V

2.5Ω

描述

AP04N60系列产品是专门设计用于主开关器件

万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。它提供

高阻断电压，以克服电压浪涌和下陷的

最艰难的动力系统与快速切换的最佳组合

设计和成本效益。

在TO- 262封装，广泛首选商业，工业

应用程序。该装置适合于开关模式电源，直流

AC转换器和大电流高速开关电路。

TO-262(R)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

650

+30

2.2

59.5

-55到150

单位

℃

总功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

2.1

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

2013050171

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