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AP05G120SW-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP05G120SW-HF图片预览
型号: AP05G120SW-HF
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内容描述: 与FRD N沟道绝缘栅双极晶体管 [N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 59 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP05G120SW-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
高速开关
低饱和电压
V
CE ( SAT )
=2.3V@I
C
=5A
CO- PAK , IGBT用FRD
符合RoHS &无卤
N沟道绝缘栅
双极晶体管, FRD 。
V
CES
I
C
C
G
C
E
TO-3P
G
E
参数
等级
1200
+30
21
10.5
1
1200V
10.5A
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25℃
I
C
@T
C
=100℃
I
CM
I
F
@T
C
=100℃
I
FM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
T
L
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管的正向电流
脉冲二极管正向电流
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
最大的铅温度。焊接用
, 8"分之1案件从5秒。
集电极 - 发射极电压
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
42
6
40
125
-55到150
-55到150
300
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
热数据
符号
Rthj -C ( IGBT )
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
价值
1
2
40
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rthj -C (二极管)热阻结案件
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
参数
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
测试条件
V
GE
=+30V, V
CE
=0V
V
CE
=1200V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ,我
C
=5A
V
CE
=V
GE
, I
C
=250uA
I
C
=5A
V
CC
=600V
V
GE
=15V
V
CC
=960V,
I
c
=5A,
V
GE
=15V,
R
G
=22Ω,
感性负载
分钟。
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.3
-
33
6.5
17.5
30
13
130
230
0.3
0.5
680
65
10
MAX 。单位
500 nA的
1
2.7
7
53
-
-
-
-
-
460
-
-
1088
-
-
mA
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
二极管@ T电气特性
j
= 25 ℃ (除非另有规定)
V
F
V
F
t
rr
Q
rr
正向电压
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
=6A
I
F
=20A
I
F
=10A
的di / dt = 100 A / μs的
-
-
-
-
2.6
-
54
138
3
4
-
-
V
V
ns
nC
1
201210244
数据和规格如有变更,恕不另行通知