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AP09N70R-A_09 参数 Datasheet PDF下载

AP09N70R-A_09图片预览
型号: AP09N70R-A_09
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 102 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP09N70R-A
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关
简单的驱动要求
G
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
650V
0.75Ω
9A
G
S
S
描述
AP09N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。 TO- 262型
提供高阻断电压,以克服电压浪涌和下陷的
最艰难的电力系统的快速切换,坚固耐用的最佳组合
设计和成本效益。
G
D
S
TO-262(R)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
650
+30
9
5
40
156
1.25
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
305
9
9
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
0.8
62
单位
℃/W
℃/W
1
数据&规格如有变更,恕不另行通知