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AP09N90CW-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP09N90CW-HF图片预览
型号: AP09N90CW-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 65 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP09N90CW-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
最小导通电阻
快速开关
简单的驱动要求
符合RoHS &无卤
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
900V
1.4Ω
7.6A
G
S
描述
AP09N90C提供了最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能和高效率的开关电源应用。
TO-3P包是优选的商业工业应用和
提供引脚之间更大的距离,以满足要求的
最安全规范。
G
D
S
TO-3P
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
等级
900
+30
7.6
4.8
25
208
1.6
120
6
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
0.6
40
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更,恕不另行通知
1
200912163