AP09N70P-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP09N70P-A
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 63 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP09N70P-A

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

动态的dv / dt额定值

▼

额定重复性雪崩

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

▼

符合RoHS

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

650V

0.75Ω

描述

在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-

工业应用。该装置适合用于DC-DC ， AC-DC

转换器的电源应用。

TO-220

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

650

±30

156

1.25

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

305

-55到150

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

0.8

单位

℃/W

200705053-1/4

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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