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AP10N70P_07 参数 Datasheet PDF下载

AP10N70P_07图片预览
型号: AP10N70P_07
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 195 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP10N70R/P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关特性
简单的驱动要求
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
600V
0.6Ω
10A
S
描述
AP10N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换applications.Both的TO-220
和TO -262型提供高阻断电压,以克服电压浪涌
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
开关,加固设计和成本效益。
该TO- 220和TO- 262封装
广泛
首选commercial-
工业应用。该装置适合于开关模式电源,
DC-AC转换器和高电流高速开关电路。
G
D
S
TO-262(R)
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
600
± 30
10
6.3
40
174
1.39
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
50
10
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大
热阻,结案件
最大
热阻,结到环境
价值
0.72
62
单位
℃/W
℃/W
201022073-1/4
数据&规格如有变更,恕不另行通知