AP11N50I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP11N50I
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 99 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP11N50I

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

500V

0.62Ω

11A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供设计师

快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

在TO- 220CFM隔离封装，广泛用于优先

商业，工业通孔应用。

TO-220CFM(I)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

单脉冲雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

等级

500

+30

5.6

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

3.2

单位

℃/W

201008112

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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