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AP1334GEU-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP1334GEU-HF图片预览
型号: AP1334GEU-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 58 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP1334GEU-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅极电荷
能够1.8V栅极驱动
最佳的DC / DC电池应用
无卤& RoHS标准的产品
SOT-323
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
S
G
20V
50mΩ
2.1A
D
I
D
描述
AP1334系列从高级电源创新的设计和
硅制程技术,以实现尽可能低的导通
电阻和快速开关的性能。它提供了
设计师用在宽范围的极端有效的设备用于
电源应用。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
3
等级
20
+8
2.1
1.7
8
0.35
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
360
单位
℃/W
1
201305061
数据和规格如有变更,恕不另行通知