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    AP1333GU 参数 Datasheet PDF下载

    AP1333GU图片预览
    型号： AP1333GU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 106 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP1333GU的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP1333GU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP1333GU的Datasheet PDF文件第4页  
    AP1333GU
    电气特性@ T
    j
    =25
    o
    ℃（除非另有规定）
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /ΔT
    j
    参数
    漏源击穿电压
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =-250uA
    分钟。
    -20
    -
    -
    -
    -
    -0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    0.01
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    1.7
    0.3
    0.4
    5
    8
    10
    2
    66
    25
    20
    马克斯。
    -
    -
    600
    800
    1000
    -1.2
    -
    -1
    -10
    ±100
    2.7
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    105.6
    -
    -
    单位
    V
    V/℃
    mΩ
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    uA
    uA
    nA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    pF
    击穿电压温度系数
    参考25 ℃ ，我
    D
    =-1mA
    R
    DS （ ON）
    静态漏源导通电阻
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-550mA
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-500mA
    V
    GS
    = -2.5V ，我
    D
    =-300mA
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    栅极阈值电压
    正向跨导
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =25
    o
    C)
    漏极 - 源极漏电流（T
    j
    =70
    o
    C)
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    = -5V ，我
    D
    =-500mA
    V
    DS
    =-20V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-16V ,V
    GS
    =0V
    V
    GS
    =±12V
    I
    D
    =-500mA
    V
    DS
    =-16V
    V
    GS
    =-4.5V
    V
    DS
    =-10V
    I
    D
    =-500mA
    R
    G
    =3.3Ω,V
    GS
    =-5V
    R
    D
    =20Ω
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-10V
    f=1.0MHz
    栅源漏
    总栅极电荷
    2
    栅极 - 源电荷
    栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    2
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    符号
    V
    SD
    参数
    正向电压上
    2
    测试条件
    I
    S
    = -300mA ，V
    GS
    =0V
    分钟。
    -
    典型值。
    -
    马克斯。
    -1.2
    单位
    V
    注意事项：
    1.Pulse
    宽度有限的最大。结温。
    2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
    3.表面安装在FR4板，T
    ≦
    10
    美国证券交易委员会。
    2/4

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