AP15P10GJ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP15P10GJ
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 75 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP15P10GH/J

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

导通电阻的降低

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-100V

210mΩ

-16A

描述

该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如高开关DC / DC转换器和

直流电动机的控制。通孔版（ AP15P10GJ ）可

对低调的申请。

ð S

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-100

±20

-16

-9.8

0.77

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

1.3

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200810051-1/4

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