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AP15P15GI 参数 Datasheet PDF下载

AP15P15GI图片预览
型号: AP15P15GI
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 101 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP15P15GI
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关特性
G
P沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-140V
180mΩ
-15A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
在TO- 220CFM隔离封装,广泛首选commercial-
工业通孔应用。
G
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
-140
+20
-15
-9.7
-60
31.3
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
4.0
65
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200810031