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    AP16N50W 参数 Datasheet PDF下载

    AP16N50W图片预览
    型号： AP16N50W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 64 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP16N50W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP16N50W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP16N50W的Datasheet PDF文件第4页  
    AP16N50W
    符合RoHS标准的产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    ▼
    低导通电阻
    ▼
    简单的驱动要求
    ▼
    快速开关特性
    G
    N沟道增强模式
    功率MOSFET
    D
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    500V
    0.4Ω
    16A
    S
    描述
    来自APEC高级功率MOSFET提供设计师
    快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
    导通电阻和成本效益。
    G
    该TO- 3P封装优选用于商业&工业应用
    具有较高的功率电平比排除TO-220器件。
    D
    S
    TO-3P
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    @T
    C
    =25℃
    I
    D
    @T
    C
    =100℃
    I
    DM
    P
    D
    @T
    C
    =25℃
    E
    AS
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流， V
    GS
    @ 10V
    连续漏电流， V
    GS
    @ 10V
    漏电流脉冲
    1
    总功耗
    单脉冲雪崩能量
    3
    存储温度范围
    工作结温范围
    等级
    500
    +30
    16
    11
    60
    250
    72
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    mJ
    ℃
    ℃
    热数据
    符号
    Rthj -C
    Rthj -A
    参数
    最大热阻，结案件
    最大热阻，结到环境
    价值
    0.5
    40
    单位
    ℃/W
    ℃/W
    1
    201010266
    数据和规格如有变更，恕不另行通知

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