AP18N20AGS-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP18N20AGS-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 63 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP18N20AGS-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

200V

170mΩ

18A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 263封装，广泛首选商业，工业

表面贴装应用，并适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

TO-263(S)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

等级

200

+20

9.5

3.13

-55到150

单位

℃

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）

价值

1.4

单位

℃/W

201011091

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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