AP18P10GH 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP18P10GH
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	6 页 / 180 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP18P10GH/J

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅极电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-100V

180mΩ

-12A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 252封装，广泛首选商业，工业

表面贴装应用，并适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP18P10GJ ）是

适用于薄型应用。

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

-100

±20

-12

-10

-48

35.7

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

3.5

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200810162

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