AP18P10GS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP18P10GS
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	5 页 / 135 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP18P10GS

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅极电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-100V

160mΩ

-12A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师用

快速切换的最佳组合，

坚固耐用的设备设计，低导通

性和成本效益。

在TO- 263封装

广泛

首选商业，工业

表面贴装应用，并适用于低电压

应用

诸如DC / DC转换器。

TO-263(S)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

等级

-100

±20

-12

-10

-48

35.7

0.29

-9

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大

热阻，结案件

最大

热阻，结到环境

价值

3.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201018072-1/4

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