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AP18T10GP 参数 Datasheet PDF下载

AP18T10GP图片预览
型号: AP18T10GP
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 100 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP18T10GP
20
20
T
C
= 25 C
16
o
10 V
7 .0 V
I
D
,漏电流( A)
16
T
C
= 150
o
C
I
D
,漏电流( A)
10 V
9.0 V
8.0V
7.0V
12
12
6.0 V
8
8
5.0 V
4
V
G
= 5.0 V
4
V
G
=4.5V
0
0
2
4
6
8
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
280
2.4
I
D
=5A
T
C
=25 C
2.0
240
o
I
D
=5A
V
G
=10V
归一化ř
DS ( ON)
4
5
6
7
8
9
10
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.6
200
1.2
160
0.8
120
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
栅极 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3.0
10
8
2.6
I
S
(A)
6
T
j
=150 C
4
o
T
j
=25 C
o
V
GS ( TH)
(V)
1.4
2.2
1.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3