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AP1A003GMT-HF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP1A003GMT-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 55 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP1A003GMT-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
SO- 8兼容散热器
低导通电阻
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
D
30V
0.99mΩ
260A
S
描述
AP1A003系列从高级电源创新的设计和
硅制程技术,以实现尽可能低的导通
电阻和快速开关的性能。它提供设计师
以在宽范围功率的极端有效的装置,用于使用
应用程序。
该PMPAK
®
5×6包是专门为DC- DC转换器
应用程序和足迹是与背面的SO-8兼容
散热片和下轮廓。
D
D
D
S
S
S
G
PMPAK
®
5x6
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流(芯片) ,V
GS
@ 10V
4
漏电流,V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
30
+20
260
57
46
300
104
5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
漏电流,V
GS
@ 10V
3
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
3
价值
1.2
25
单位
℃/W
℃/W
1
201311181
数据和规格如有变更,恕不另行通知