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AP20N15AGP-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP20N15AGP-HF图片预览
型号: AP20N15AGP-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 101 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20N15AGP-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
150V
100mΩ
20.5A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通
性和成本效益。
在TO-220封装被广泛地优选用于商业工业
通过电源保持应用程序。的低热阻和低
封装成本有助于世界各地的丘疹包。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
150
+20
20.5
13
80
89.2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
Maixmum热阻,结到环境
价值
1.4
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201202211