AP20P02GJ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP20P02GJ
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	6 页 / 85 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP20P02GH/J

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

2.5V栅极驱动能力

▼

快速开关

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-20V

52mΩ

-18A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。通孔版

（ AP20P02GJ ）可用于小尺寸应用。

克ð

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

- 20

± 12

-18

-14

-50

31.25

0.25

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

4.0

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201225023

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