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AP20T15GP-HF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP20T15GP-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 93 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20T15GP-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
导通电阻的降低
快速开关特性
无卤& RoHS标准的产品
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
150V
70mΩ
22.2A
S
描述
AP20T15系列从高级电源创新的设计和
硅制程技术,以实现尽可能低的导通
电阻和快速开关的性能。它提供设计师
以在宽范围功率的极端有效的装置,用于使用
应用程序。
在TO- 220封装,广泛首选的所有商业,工业
通孔应用。的低热阻和低
封装成本推动世界范围内流行的包。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
150
+20
22.2
14
60
89.2
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
1.4
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201303122