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AP2304N 参数 Datasheet PDF下载

AP2304N图片预览
型号: AP2304N
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内容描述: N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 76 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2304N
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
封装尺寸小
表面贴装封装
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
25V
117mΩ
2.7A
描述
SOT-23
G
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
低导通电阻和成本效益。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
25
±20
2.7
2.2
10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200420043