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    AP2306AGN-HF 参数 Datasheet PDF下载

    AP2306AGN-HF图片预览
    型号： AP2306AGN-HF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 112 K
    品牌： A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号AP2306AGN-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP2306AGN-HF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP2306AGN-HF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AP2306AGN-HF的Datasheet PDF文件第5页  
    AP2306AGN-HF
    无卤素产品
    先进的电源
    电子股份有限公司
    ▼
    能够2.5V栅极驱动
    ▼
    导通电阻的降低
    ▼
    表面贴装封装
    ▼
    符合RoHS
    S
    SOT-23
    G
    D
    N沟道增强模式
    功率MOSFET
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    D
    30V
    35mΩ
    5A
    描述
    先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
    以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
    成本效益的设备。
    采用SOT -23封装，广泛用于所有的商业，工业
    应用程序。
    G
    S
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    @T
    A
    =25℃
    I
    D
    @T
    A
    =70℃
    I
    DM
    P
    D
    @T
    A
    =25℃
    T
    英镑
    T
    J
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    3
    , V
    GS
    @ 4.5V
    连续漏电流， V
    GS
    @ 4.5V
    漏电流脉冲
    1
    总功耗
    存储温度范围
    工作结温范围
    3
    等级
    30
    +8
    5
    4
    20
    1.38
    -55到150
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    ℃
    ℃
    热数据
    符号
    Rthj -A
    参数
    最大热阻结到环境
    3
    价值
    90
    单位
    ℃/W
    数据和规格如有变更，恕不另行通知
    1
    200810141

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