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AP2306GN-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP2306GN-HF图片预览
型号: AP2306GN-HF
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内容描述: 能够2.5V栅极驱动,低导通电阻 [Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance]
分类和应用: 栅极栅极驱动
文件页数/大小: 4 页 / 105 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2306GN-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
能够2.5V栅极驱动
导通电阻的降低
表面贴装封装
符合RoHS
S
SOT-23
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
D
20V
35mΩ
5.3A
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
to
实现尽可能低的导通电阻,非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -23封装,广泛用于所有的商业,工业
应用程序。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
+12
5.3
4.3
10
1.38
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200902044