AP2312GN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2312GN
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 72 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2312GN

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

50mΩ

4.3A

描述

SOT-23

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -23封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@ 4.5V

连续漏电流

, V

@ 4.5V

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

±12

4.3

3.4

1.38

0.01

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

价值

马克斯。

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200920041

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