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AP2318GEN-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP2318GEN-HF图片预览
型号: AP2318GEN-HF
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内容描述: 能够2.5V栅极驱动的,小外形封装 [Capable of 2.5V Gate Drive, Small Outline Package]
分类和应用: 栅极栅极驱动
文件页数/大小: 4 页 / 103 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2318GEN-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
能够2.5V栅极驱动
小外形封装
表面安装器件
符合RoHS
SOT-23
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
1.5Ω
500mA
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻,非常有效和
成本效益的设备。
的SOT-23封装被广泛用于商业,工业应用。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±16
0.5
0.4
2
0.7
0.006
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
180
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200901154