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AP2322GN-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP2322GN-HF图片预览
型号: AP2322GN-HF
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内容描述: 能够1.8V栅极驱动,简单驱动要求 [Capable of 1.8V gate drive, Simple Drive Requirement]
分类和应用: 晶体栅极晶体管栅极驱动
文件页数/大小: 4 页 / 96 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2322GN-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
能够1.8V栅极驱动
简单的驱动要求
表面贴装封装
符合RoHS &无卤
SOT-23
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
S
G
20V
90mΩ
2.5A
D
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻,非常有效和
成本效益的设备。
的SOT-23封装被广泛用于商业,工业应用。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
+8
2.5
2.0
10
0.833
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
150
单位
℃/W
1
201009173
数据和规格如有变更,恕不另行通知