AP2332GEN-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2332GEN-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2332GEN-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

封装尺寸小

▼

表面安装器件

▼

无卤& RoHS标准的产品

SOT-23

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

72Ω

51mA

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

特殊设计的SOT -23封装具有良好的散热性能

普遍首选的所有商业工业表面贴装

采用红外回流焊技术，适合于电压应用

转换或转换申请。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@ 10V

连续漏电流

, V

@ 10V

连续漏电流

, V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

600

+32

300

0.5

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

最大热阻，结到环境

价值

250

单位

℃/W

201212131

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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