AP2451GY 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2451GY
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内容描述：	N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小：	7 页 / 100 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2451GY

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

DS （ ON）

20V

37mΩ

-20V

75mΩ

-3.7A

P- CH BV

DSS

DS （ ON）

2928-8

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工

技术，以实现尽可能低的导通电阻，

非常有效和符合成本效益的设备。

该2928-8 J形引脚封装提供了良好的导通电阻

性能和节省空间像的TSOP -6。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

N沟道

±12

1.38

0.01

-55到150

P沟道

-20

±12

-3.7

-3

-20

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

价值

马克斯。

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200119051

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