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AP2530GY 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP2530GY
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 86 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2530GY
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
低导通电阻
表面贴装封装
符合RoHS
SOT-26
S2
G1
S1
D1
G2
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
72mΩ
3.3A
-30V
150mΩ
-2.3A
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工
技术,以实现尽可能低的导通电阻,极
效率和成本效益的设备。
采用SOT -26封装普遍用于所有的商业,工业
应用程序。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
±20
3.3
2.6
10
1.14
0.01
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-2.3
-1.8
-10
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
110
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200425051-1/7