AP2625Y 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP2625Y
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 75 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP2625Y

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

低导通电阻

▼

表面贴装封装

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-30V

135mΩ

- 2.3A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

SOT-26

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

±12

-2.3

-2

-20

1.2

0.01

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200611041

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