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型号: AP2851GO
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 97 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP2851GO
N沟道
f=1.0MHz
14
1000
12
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=5A
V
DS
= 24 V
C
国际空间站
10
8
C( pF)的
100
C
OSS
C
RSS
6
4
2
0
0
4
8
12
16
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
10
0.2
100us
1ms
I
D
(A)
1
归热响应(R
thJA
)
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
10ms
100ms
0.1
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=208
o
C / W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
10s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形