AP30N30W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP30N30W
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 113 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP30N30W

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

简单的驱动要求

▼

导通电阻的降低

▼

符合RoHS

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

250V

68mΩ

36A

描述

AP30N30亚太经合组织为设计人员提供快速的最佳组合

切换，低导通电阻和成本效益。

该TO- 3P封装优选用于商业&工业应用

具有较高的功率电平比排除TO-220器件。

TO-3P

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

等级

250

±30

144

208

1.7

450

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

0.6

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200916052-1/4

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