AP3310H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP3310H
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内容描述：	P沟道增强模式 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 84 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP3310H/J

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

2.5V栅极驱动能力

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-20V

150mΩ

-10A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

，低导通电阻和成本效益。

这个装置是适用于低电压和电池功率

应用程序。

克ð

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

- 20

± 12

-10

-6.2

-24

0.01

-55到150

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

价值

5.0

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201225023

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