欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP3403H 参数 Datasheet PDF下载

AP3403H图片预览
型号: AP3403H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强模式 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 77 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP3403H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP3403H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AP3403H的Datasheet PDF文件第4页  
AP3403H/J
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
简单的驱动要求
快速开关
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
200mΩ
- 10A
描述
克ð
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻,非常有效和成本
效益的设备。
该TO- 252 / TO- 251封装普遍用于所有commercial-
工业应用。
G
D
S
S
TO-252(H)
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
等级
- 30
± 20
-10
-8.6
-48
36.7
0.29
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.4
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200505031