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AP40P03GI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP40P03GI
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP40P03GI
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
导通电阻的降低
简单的驱动要求
快速开关特性
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
28mΩ
-30A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
G
在TO- 220CFM隔离包装普遍首选的所有
商业,工业通孔应用。
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±20
-30
-18
-120
31.3
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200407062-1/4