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AP40T03GJ 参数 Datasheet PDF下载

AP40T03GJ图片预览
型号: AP40T03GJ
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 213 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP40T03GH/J
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低栅电荷
快速开关
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
25mΩ
28A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合,
坚固耐用的设备的设计,
低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装,广泛首选的所有商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版( AP40T03GJ )
可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
+25
28
24
95
31.25
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
4
62.5
110
单位
℃/W
℃/W
℃/W
最大热阻,结到环境
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200807183